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提高額定電壓的內(nèi)部結(jié)構(gòu)

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2024-01-05 17:26

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不同薄膜材料的額定電壓取決于薄膜厚度、材料質(zhì)量（不含物理缺陷和化學(xué)雜質(zhì)）、環(huán)境溫度和工作頻率等因素，以及針對(duì)擊穿電壓的安全裕度（介電強(qiáng)度）。但大致而言，薄膜電容器的額定電壓主要取決于塑料薄膜的厚度。例如，以聚酯薄膜電容器的最小可用薄膜厚度（約0.7μm），可以生產(chǎn)額定電壓為400VDC的電容器。如果需要更高的電壓，通常會(huì)使用更厚的塑料薄膜。但介電薄膜的擊穿電壓通常是非線性的。對(duì)于大于約5密耳的厚度，擊穿電壓僅隨著薄膜厚度的平方根而增加。另一方面，電容隨著薄膜厚度的增加而線性減小。出于可用性、存儲(chǔ)和現(xiàn)有處理能力的原因，希望在使用現(xiàn)有可用薄膜材料的同時(shí)實(shí)現(xiàn)更高的擊穿電壓。這可以通過(guò)絕緣膜的單側(cè)部分金屬化以產(chǎn)生電容器的內(nèi)部串聯(lián)連接的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)。通過(guò)使用這種串聯(lián)連接技術(shù)，電容器的總擊穿電壓可以乘以任意倍數(shù)，但總電容也會(huì)降低相同的倍數(shù)。存儲(chǔ)和現(xiàn)有處理能力，希望在使用現(xiàn)有可用薄膜材料的同時(shí)實(shí)現(xiàn)更高的擊穿電壓。這可以通過(guò)絕緣膜的單側(cè)部分金屬化以產(chǎn)生電容器的內(nèi)部串聯(lián)連接的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)。通過(guò)使用這種串聯(lián)連接技術(shù)，電容器的總擊穿電壓可以乘以任意倍數(shù)，但總電容也會(huì)降低相同的倍數(shù)。存儲(chǔ)和現(xiàn)有處理能力，希望在使用現(xiàn)有可用薄膜材料的同時(shí)實(shí)現(xiàn)更高的擊穿電壓。這可以通過(guò)絕緣膜的單側(cè)部分金屬化以產(chǎn)生電容器的內(nèi)部串聯(lián)連接的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)。通過(guò)使用這種串聯(lián)連接技術(shù)，電容器的總擊穿電壓可以乘以任意倍數(shù)，但總電容也會(huì)降低相同的倍數(shù)。可以通過(guò)使用單面部分金屬化膜來(lái)提高擊穿電壓，或者可以通過(guò)使用雙面金屬化膜來(lái)提高電容器的擊穿電壓。雙面金屬化薄膜也可以通過(guò)部分金屬化與內(nèi)部串聯(lián)電容器相結(jié)合。這些多種技術(shù)設(shè)計(jì)特別適用于聚丙烯薄膜的高可靠性應(yīng)用。

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